RQ6E030ATTCR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
RQ6E030ATTCR P1
RQ6E030ATTCR P1
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Rohm Semiconductor ~ RQ6E030ATTCR

Número de pieza
RQ6E030ATTCR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza RQ6E030ATTCR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 15V
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT6 (SC-95)
Paquete / caja SC-74, SOT-457

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