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| Número de pieza | APT75GN120B2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Potencia - Max | 833W |
| Conmutación de energía | 8045µJ (on), 7640µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 425nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 60ns/620ns |
| Condición de prueba | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Detalles |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Detalles |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 0 | Detalles | |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | - | 2948 | Detalles |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | - | 20 | Detalles |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | - | 25 | Detalles |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | - | 0 | Detalles |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 | Detalles | |
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APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 66 | Detalles |
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APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 0 | Detalles |