IPB017N06N3 G

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB017N06N3 G P1
IPB017N06N3 G P1
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Infineon Technologies ~ IPB017N06N3 G

Número de pieza
IPB017N06N3 G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IPB017N06N3 G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPB017N06N3 G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 196µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 275nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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