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| Número de pieza | IPB011N04NGATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-7-3 |
| Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | - | 8000 | Detalles |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | - | 26438 | Detalles |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | - | 0 | Detalles |