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| Número de pieza | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta), 55A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 33A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 | - | 110000 | Detalles |
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BSC123N10LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 | - | 10000 | Detalles |