FJV4112RMTF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
FJV4112RMTF P1
FJV4112RMTF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FJV4112RMTF

Número de pieza
FJV4112RMTF
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FJV4112RMTF.pdf FJV4112RMTF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza FJV4112RMTF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 40V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 47k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3

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