FJV4102RMTF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
FJV4102RMTF P1
FJV4102RMTF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FJV4102RMTF

Número de pieza
FJV4102RMTF
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- FJV4102RMTF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza FJV4102RMTF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)

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