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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | E3M0280090D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 600V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 54W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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E3M0065090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M | - | 5452 | Einzelheiten |
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E3M0120090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC | - | 8665 | Einzelheiten |
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E3M0280090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC | - | 15718 | Einzelheiten |