BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
BYC30-1200PQ P1
BYC30-1200PQ P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

WeEn Semiconductors ~ BYC30-1200PQ

Artikelnummer
BYC30-1200PQ
Hersteller
WeEn Semiconductors
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BYC30-1200PQ PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer BYC30-1200PQ
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 30A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 65ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 250µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-2
Lieferantengerätepaket TO-220AC
Betriebstemperatur - Kreuzung 175°C (Max)

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