BTA2008-1000DN/L03EP

BTA2008-1000DN/L03/TO-92/STANDAR
BTA2008-1000DN/L03EP P1
BTA2008-1000DN/L03EP P1
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WeEn Semiconductors ~ BTA2008-1000DN/L03EP

Artikelnummer
BTA2008-1000DN/L03EP
Hersteller
WeEn Semiconductors
Beschreibung
BTA2008-1000DN/L03/TO-92/STANDAR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Thyristoren - TRIACs
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Produktparameter

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Artikelnummer BTA2008-1000DN/L03EP
Teilstatus Active
Triac-Typ Logic - Sensitive Gate
Spannung - Aus Zustand 1kV
Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) 800mA
Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) 1V
Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 9A, 9.9A
Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) 5mA
Aktuell - Halten (Ih) (Max) 10mA
Aufbau Single
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92-3

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