VS-GB75DA120UP

MODULE IGBT SOT-227
VS-GB75DA120UP P1
VS-GB75DA120UP P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB75DA120UP

Artikelnummer
VS-GB75DA120UP
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
MODULE IGBT SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer VS-GB75DA120UP
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 658W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227

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