VS-ENQ030L120S

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
VS-ENQ030L120S P1
VS-ENQ030L120S P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-ENQ030L120S

Artikelnummer
VS-ENQ030L120S
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- VS-ENQ030L120S PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer VS-ENQ030L120S
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 61A
Leistung max 216W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 230µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.34nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall EMIPAK-1B
Lieferantengerätepaket EMIPAK-1B

Verwandte Produkte

Alle Produkte