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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SUM90142E-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 375W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SUM90140E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90142E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90220E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90330E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK | - | 69011 | Einzelheiten |
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SUM90N03-2M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N06-4M4P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N06-5M5P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N08-4M8P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N08-6M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N08-7M6P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |