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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQA470EJ-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 13.6W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70 | - | 287988 | Einzelheiten |
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SQA470EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V POWERPAK SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |