SIZ350DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
SIZ350DT-T1-GE3 P1
SIZ350DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ350DT-T1-GE3

Artikelnummer
SIZ350DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SIZ350DT-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V
Leistung max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3)

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