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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SISH129DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 14.4A (Ta), 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3345pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SH |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SISH129DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- | - | 149454 | Einzelheiten |