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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIS892DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 611pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 | - | 12000 | Einzelheiten |
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SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 | - | 42000 | Einzelheiten |
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SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK | - | 12000 | Einzelheiten |