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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIS447DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5590pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | - | 12000 | Einzelheiten |
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SIS444DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 | - | 169158 | Einzelheiten |
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SIS447DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212 | - | 164642 | Einzelheiten |
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SIS448DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |