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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI8824EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-Microfoot |
| Paket / Fall | 4-XFBGA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI8821EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT | - | 0 | Einzelheiten |
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SI88220BC-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 17518 | Einzelheiten |
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SI88220BC-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 21410 | Einzelheiten |
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SI88220BD-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI88220BD-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI88220EC-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 17518 | Einzelheiten |
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SI88220EC-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 21410 | Einzelheiten |
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SI88220ED-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI88220ED-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI88221BC-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 17518 | Einzelheiten |
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SI88221BC-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 21410 | Einzelheiten |
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SI88221BD-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | - | 0 | Einzelheiten |