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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7485DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI7483ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7483ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7485DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7485DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7489DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | - | 6000 | Einzelheiten |
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SI7489DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | - | 24000 | Einzelheiten |