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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7135DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8650pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 | - | 18000 | Einzelheiten |
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SI7136DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7136DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7137DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7138DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7138DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI7139DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | - | 9000 | Einzelheiten |