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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI5904DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | - | 15000 | Einzelheiten |
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SI5902DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5903DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5903DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5904DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5905BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5905BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5905DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5905DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5906DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET | 0 | Einzelheiten |