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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI5504DC-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | - | 9000 | Einzelheiten |
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SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | - | 12000 | Einzelheiten |
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SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |