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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI3473DDV-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 6V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |