SI1970DH-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
SI1970DH-T1-GE3 P1
SI1970DH-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1970DH-T1-GE3

Artikelnummer
SI1970DH-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI1970DH-T1-GE3
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 15V
Leistung max 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363)

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