SI1557DH-T1-E3

MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
SI1557DH-T1-E3 P1
SI1557DH-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1557DH-T1-E3

Artikelnummer
SI1557DH-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SI1557DH-T1-E3
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.2A, 770mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 470mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363)

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