IRF630L

MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
IRF630L P1
IRF630L P1
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Vishay Siliconix ~ IRF630L

Artikelnummer
IRF630L
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF630L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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