CPV363M4F

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2
CPV363M4F P1
CPV363M4F P2
CPV363M4F P3
CPV363M4F P1
CPV363M4F P2
CPV363M4F P3
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ CPV363M4F

Artikelnummer
CPV363M4F
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer CPV363M4F
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 16A
Leistung max 36W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.63V @ 15V, 16A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 19-SIP (13 Leads), IMS-2
Lieferantengerätepaket IMS-2

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