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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BAV101-GS18 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-80 MiniMELF |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 125°C (Max) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | Einzelheiten |
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BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | Einzelheiten |
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BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | Einzelheiten |
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BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | Einzelheiten |
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BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Einzelheiten | |
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BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Einzelheiten | |
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BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | Einzelheiten |
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BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | Einzelheiten |