1N4448TR

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
1N4448TR P1
1N4448TR P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ 1N4448TR

Artikelnummer
1N4448TR
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 1N4448TR PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer 1N4448TR
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 8ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial
Lieferantengerätepaket DO-35
Betriebstemperatur - Kreuzung 175°C (Max)

Verwandte Produkte

Alle Produkte