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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPCC8093,L1Q |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 500µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.9W (Ta), 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Einzelheiten | |
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TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Einzelheiten | |
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TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Einzelheiten | |
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TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Einzelheiten | |
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TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON | 3000 | Einzelheiten | |
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TPCC8093,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 309493 | Einzelheiten |