Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPC6006-H(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 251pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC6006-H(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TPC6008-H(TE85L,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TPC6009-H(TE85L,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6 | - | 0 | Einzelheiten |