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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6K341NU,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSM6K202FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 | - | 12000 | Einzelheiten |
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