SSM6J511NU,LF

MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
SSM6J511NU,LF P1
SSM6J511NU,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J511NU,LF

Artikelnummer
SSM6J511NU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SSM6J511NU,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350pF @ 6V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.1 mOhm @ 4A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-UDFNB (2x2)
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad

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