RN1309,LF

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
RN1309,LF P1
RN1309,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1309,LF

Artikelnummer
RN1309,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- RN1309,LF PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer RN1309,LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket USM

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