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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RN1116MFV,L3F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 150mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | VESM |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | 0 | Einzelheiten | |
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RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | 0 | Einzelheiten | |
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RN1111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM PLN LF TRANSISTO | - | 2272607 | Einzelheiten |
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RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1112ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | Einzelheiten |