HN1B01FU-Y(L,F,T)

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
HN1B01FU-Y(L,F,T) P1
HN1B01FU-Y(L,F,T) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ HN1B01FU-Y(L,F,T)

Artikelnummer
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
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Artikelnummer HN1B01FU-Y(L,F,T)
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6

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