DF2B18FU,H3F

TVS DIODE 12VWM 33VC
DF2B18FU,H3F P1
DF2B18FU,H3F P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ DF2B18FU,H3F

Artikelnummer
DF2B18FU,H3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TVS DIODE 12VWM 33VC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DF2B18FU,H3F PDF online browsing
Familie
TVS - Dioden
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Produktparameter

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Artikelnummer DF2B18FU,H3F
Teilstatus Active
Art Steering (Rail to Rail)
Unidirektionale Kanäle 1
Bidirektionale Kanäle -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 12V
Spannung - Ausfall (Min.) 16.2V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 33V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 2.5A (8/20µs)
Leistung - Spitzenpuls 80W
Stromleitungsschutz No
Anwendungen Automotive
Kapazität @ Frequenz 9pF @ 1MHz
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-76, SOD-323
Lieferantengerätepaket USC

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