2SC5201,T6MURAF(J

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
2SC5201,T6MURAF(J P1
2SC5201,T6MURAF(J P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SC5201,T6MURAF(J

Artikelnummer
2SC5201,T6MURAF(J
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer 2SC5201,T6MURAF(J
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 20mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 20mA, 5V
Leistung max 900mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket TO-92MOD

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