2SB906-Y(TE16L1,NQ

TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
2SB906-Y(TE16L1,NQ P1
2SB906-Y(TE16L1,NQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SB906-Y(TE16L1,NQ

Artikelnummer
2SB906-Y(TE16L1,NQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer 2SB906-Y(TE16L1,NQ
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 9MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PW-MOLD

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