Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TH58BVG3S0HTAI0 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 48-TSOP I |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | - | 9448 | Einzelheiten |
 |
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 182 | Einzelheiten | |
 |
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 96 | Einzelheiten | |
 |
TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | - | 6036 | Einzelheiten |
 |
TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4G SLC NAND BGA 24NM | - | 9448 | Einzelheiten |
 |
TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA | - | 96 | Einzelheiten |
 |
TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | - | 6163 | Einzelheiten |