TC58NYG1S3HBAI4

2G NAND SLC 24NM BGA
TC58NYG1S3HBAI4 P1
TC58NYG1S3HBAI4 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Memory America, Inc. ~ TC58NYG1S3HBAI4

Artikelnummer
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
2G NAND SLC 24NM BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer TC58NYG1S3HBAI4
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket 63-TFBGA (9x11)

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