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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM80N950CH C5G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 691pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 (IPAK) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TSM80N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 | - | 33948 | Einzelheiten |
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TSM80N950CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220 | - | 32126 | Einzelheiten |
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TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | - | 87799 | Einzelheiten |