TSM2N7000KCT B0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
TSM2N7000KCT B0G P1
TSM2N7000KCT B0G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM2N7000KCT B0G

Artikelnummer
TSM2N7000KCT B0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- TSM2N7000KCT B0G PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer TSM2N7000KCT B0G
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.32pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 400mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Verwandte Produkte

Alle Produkte