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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM250N02DCQ RFG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 10V |
| Leistung max | 620mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-TDFN (2x2) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TSM250N02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23 | - | 689058 | Einzelheiten |
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TSM250N02DCQ RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN | - | 423211 | Einzelheiten |