SFS1001GHMNG

DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
SFS1001GHMNG P1
SFS1001GHMNG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ SFS1001GHMNG

Artikelnummer
SFS1001GHMNG
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Artikelnummer SFS1001GHMNG
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 5A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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