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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | S5JBHM4G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S5J M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | - | 404397 | Einzelheiten |
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S5J R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | - | 356251 | Einzelheiten |
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S5J V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | - | 561419 | Einzelheiten |
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S5J V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | - | 505295 | Einzelheiten |
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S5J-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | - | 5950 | Einzelheiten |
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S5J-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | - | 0 | Einzelheiten |
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S5J-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 5A 600V DO-214AB | - | 0 | Einzelheiten |
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S5J-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 5A 600V DO-214AB | - | 0 | Einzelheiten |
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S5JB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA | - | 601792 | Einzelheiten |
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S5JB R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA | - | 541613 | Einzelheiten |
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S5JBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA | - | 564644 | Einzelheiten |
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S5JBHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA | - | 508180 | Einzelheiten |