ES3A V6G

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
ES3A V6G P1
ES3A V6G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ ES3A V6G

Artikelnummer
ES3A V6G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer ES3A V6G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214AB, SMC
Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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