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Taiwan Semiconductor Corporation ~ DBLS157G RDG

Artikelnummer	DBLS157G RDG
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	1kV
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1.5A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	2µA @ 1000V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket	DBLS

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DBLS101G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	-	477940	Einzelheiten
DBLS101G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	-	316513	Einzelheiten
DBLS101GHC1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	-	478113	Einzelheiten
DBLS101GHRDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	-	367564	Einzelheiten
DBLS102G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	-	477940	Einzelheiten
DBLS102G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	-	335132	Einzelheiten
DBLS102GHC1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	-	478113	Einzelheiten
DBLS102GHRDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	-	367564	Einzelheiten
DBLS103G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	-	477940	Einzelheiten
DBLS103G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	-	316513	Einzelheiten
DBLS103GHC1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	-	478113	Einzelheiten
DBLS103GHRDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	-	316513	Einzelheiten