STB9NK90Z

MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
STB9NK90Z P1
STB9NK90Z P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

STMicroelectronics ~ STB9NK90Z

Artikelnummer
STB9NK90Z
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STB9NK90Z
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2115pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 160W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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